Plessey Semiconductor Ltd. hat eine weitere CRIUS II-XL MOCVD-Anlage zur Herstellung von Galliumnitrid-LEDs auf Siliziumwafern (GaN-auf-Si) erworben.
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Plessey Semiconductor Ltd. hat eine weitere CRIUS II-XL MOCVD-Anlage zur Herstellung von Galliumnitrid-LEDs auf Siliziumwafern (GaN-auf-Si) erworben.
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